GaN:Mn和ZnS:Cr的电子结构与Jahn-Teller效应
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
我们提出了对两种含有d4杂质的稀磁半导体（DMS），即Mn掺杂GaN和Cr掺杂ZnS中Jahn-Teller效应的从头算和分析研究。结果表明，只有将Jahn-Teller畸变与3d壳层中的强电子关联结合起来处理，才能得到正确的绝缘电子结构。利用LSDA+U方法，我们获得的Jahn-Teller能量增益与现有实验数据合理吻合。从头算结果通过更具现象学的配位场理论得到了补充。
引用
@article{arxiv.1003.0365,
title = {Electronic structure and Jahn-Teller effect in GaN:Mn and ZnS:Cr},
author = {F. Virot and R. Hayn and A. Boukortt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0365},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures