强关联电子系统模型中磁有序与杨-特勒畸变的相互作用

哈伯德模型已被成功用于理解关联驱动的物理性质的许多方面，特别是巡游电子系统中的磁有序。在一些系统中，如霍伊斯勒合金、锰氧化物等，已知除了磁有序外，还存在由杨-特勒效应引起的畸变。本文基于二重简并哈伯德模型，研究了磁有序对杨-特勒畸变的影响。采用谱密度方法处理电子关联，并将杨-特勒相互作用添加到模型中。我们发现，在低温 $T$ 下，对于一定范围的电子关联强度 $U$、杨-特勒耦合强度 $G$ 和能带占据数 $n$，磁有序和结构畸变共存。在 $T=0$ 时，对于给定的 $n$ 和 $U$，磁有序存在，但畸变仅在 $G$ 大于临界值时出现。我们还研究了选择接近临界值的 $G$ 时，晶格应变和磁化强度的温度依赖性。