正弦调制超晶格生长的蒙特卡罗模拟
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
通过蒙特卡罗模拟，研究了在非均匀通量分布存在下旋转衬底而非依次关闭和打开源挡板来生长ZnSe/ZnTe超晶格的工艺。研究发现，由于Se和Te原子在样品给定点的不均匀到达，以及由于衬底旋转导致该点Te/Se比的变化，每种化合物的浓度沿生长方向呈正弦调制。由此我们获得了ZnSeTe合金，其中组分沿生长方向呈正弦变化。调制的周期直接由衬底旋转速率控制。对于较小的衬底旋转角速度，组分调制的幅度是单调的，但对于较大的角速度，其本身也会被调制。调制图案的平均幅度随着衬底旋转角速度的增加以及测量位置接近旋转中心而减小。模拟结果与此前发表的以这种方式制备的超晶格实验测量结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108188,
title = {Monte Carlo Simulation of Sinusoidally Modulated Superlattice Growth},
author = {H. Jeong and B. Kahng and S. Lee and C. Y. Kwak and A. -L. Barabasi and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108188},
year = {2009}
}