Bi 注入非晶硫族化合物薄膜的电学性质
材料科学
2023-07-19 v2
摘要
研究了 Bi 注入对 GeTe、Ge-Sb-Te 和 Ga- La-S 薄膜电导率和热电势的影响。增强的电导率似乎对注入剂量非常敏感。在非晶硫族化合物薄膜中掺入剂量高达 1x1015 cm-2 的 Bi，未见改变多数载流子类型和传导过程的激活能。更高的注入剂量可能反转所研究薄膜的多数载流子类型。在剂量为 2x1016 cm-2 的 Bi 注入 GeTe 薄膜中观察到电子导电。这些研究表明，非晶硫族化合物半导体中存在的本征配位缺陷可通过离子注入去活化。通过对 Au/非晶硫族化合物/Si 结构进行的空间电荷限制电流和电容-电压特性分析，推断出所研究薄膜及其与硅界面中存在大量注入诱导陷阱密度。
引用
@article{arxiv.1505.00808,
title = {Electrical properties of Bi-implanted amorphous chalcogenide films},
author = {Yanina G. Fedorenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.00808},
year = {2023}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1410.5677