γ-GeSe中独特成键构型驱动的输运性质
材料科学
2023-04-17 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
IV族单硫族化合物近年来因其热电、铁电及其他引人关注的性质而展现出巨大潜力。IV族单硫族化合物的电学性质对硫族元素类型表现出强烈的依赖性。例如，GeTe表现出高掺杂浓度，而以S/Se为基础的硫族化合物则是具有可观带隙的半导体。在此，我们研究了γ-GeSe（一种近期被确认的GeSe多晶型）的电学及热电性质。由于其高空穴掺杂水平（5×10²¹ cm⁻³），γ-GeSe表现出高电导率（约10⁶ S/m）和相对较低的塞贝克系数（室温下9.4 μV/K），这与其他已知的GeSe多晶型形成鲜明对比。元素分析和第一性原理计算证实，大量Ge空位的形成导致了高空穴掺杂浓度。磁电阻测量还揭示了晶体中由自旋轨道耦合引起的弱反局域化。我们的结果表明，γ-GeSe是一种独特的多晶型，其中经修饰的局域成键构型导致了显著不同的物理性质。
引用
@article{arxiv.2304.06954,
title = {Electrical transport properties driven by unique bonding configuration in gamma-GeSe},
author = {Jeongsu Jang and Joonho Kim and Dongchul Sung and Jong Hyuk Kim and Joong-Eon Jung and Sol Lee and Jinsub Park and Chaewoon Lee and Heesun Bae and Seongil Im and Kibog Park and Young Jai Choi and Suklyun Hong and Kwanpyo Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.06954},
year = {2023}
}