IrSbSe 的热输运性质
强关联电子
2022-11-08 v1
摘要
我们报道了 IrSbSe 的热输运研究，该材料结晶于 空间群的非中心对称立方结构，并表现出窄带隙半导体行为。在 200 至 300 K 范围内，电导率激活能 [ = 128(2) meV] 与热功率激活能 [ = 17.7(9) meV] 之间的巨大差异表明存在极化子输运机制。低温下电阻率随 变化，热功率随 变化，表明随着温度降低，其演化为以 Mott 变程跳跃主导的导电。IrSbSe 在约 100 K 时表现出较低的热导率（ 1.65 W/Km）和约 0.24 mV/K 的热功率，但电导率较差。另一方面，Ir 和 Sb 原子位点上高达 15% 的高空位缺陷浓度，表明其具有高缺陷容忍度，并指向通过化学替代或缺陷优化来未来改善载流子密度的可能性。
引用
@article{arxiv.2210.16447,
title = {Thermal transport properties of IrSbSe},
author = {Yu Liu and Milinda Abeykoon and Niraj Aryal and David Graf and Zhixiang Hu and Weiguo Yin and C. Petrovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.16447},
year = {2022}
}