非晶硒化锑的电学性质
凝聚态物理
2011-11-22 v1
摘要
本文报道了非晶硒化锑在宽温度范围（238K至338K）和频率范围（5Hz至100kHz）内的导电机制。直流电导率随温度的变化表现出半导体行为，激活能ΔE=0.42 eV。研究了热诱导对非晶硒化锑电学和介电性质的变化。材料的交流电导率已用修正的CBH模型解释。在室温以上，能带导电和单极化子跃迁占主导。然而，在较低温度范围内，双极化子跃迁占主导。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9802046,
title = {Electrical properties of a-antimony selenide},
author = {Sanjeev Gautam and D. K. Shukla and Shelly Jain and N. Goyal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9802046},
year = {2011}
}
备注
9 pages (RevTeX, LaTeX2e), 9 psfigures, also at http://pu.chd.nic.in/ftp/pub/san16 e-mail: gautam%[email protected]