银掺杂对a-Sb$_2$Se$_3$电学性质的影响
材料科学
2011-11-22 v2
摘要
本文报道了在240-340 K温度范围和5 Hz至100 kHz频率范围内，Ag掺杂对a-Sb2Se3电学性质的影响。研究了输运性质随热掺杂的变化。Ag掺杂在样品中产生了两个均匀相，并且发现这两个相在所研究的温度范围内与电压相关，在较低频率区域（0.1 - 10 kHz）与频率相关。由直流电导率计算得到的激活能Eg和C' [= exp (/k)，其中是带隙的温度系数] 分别从0.42 eV变化到0.26 eV，以及从41.08x10变化到2.902x10-6 cm。Ag掺杂可用于使样品在器件应用中更有用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604158,
title = {Effect of silver doping on the electrical properties of a-Sb$_2$Se$_3$},
author = {Sanjeev Gautam and Anup Thakur and S. K. Tripathi and Navdeep Goyal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604158},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 5 figures, Conference ISNOG 2006, IISc Bangalore(India)