γ-GeSe：IV-VI 族单硫族化合物中的一种新六方多晶型物
介观与纳米尺度物理
2021-05-12 v1 材料科学
应用物理
摘要
IV-VI 族单硫族化合物家族具有原子级褶皱的层状结构，其原子键构型暗示了实现多种多晶型物的可能性。在此，我们报道了从通常为正交晶系的 IV-VI 族单硫族化合物家族中合成的首个六方多晶型物。近期预测的四原子层厚六方 GeSe（即所谓的 γ-GeSe）被合成，并通过互补的结构表征（包括元素分析、电子衍射、高分辨透射电子显微镜成像和偏振拉曼光谱）得到明确鉴别。电学与光学测量表明，所合成的 γ-GeSe 表现出 3x10^5 S/m 的高电导率，可与其他二维层状半金属晶体相媲美。此外，γ-GeSe 可直接在 h-BN 衬底上生长，展示了构建包含 γ-GeSe 的垂直范德瓦耳斯异质结构的自下而上方法。新鉴别出的 γ-GeSe 晶体对称性值得对其各类物理性质开展进一步研究。
引用
@article{arxiv.2105.04938,
title = {{\gamma}-GeSe:a new hexagonal polymorph from group IV-VI monochalcogenides},
author = {Sol Lee and Joong-Eon Jung and Han-gyu Kim and Yangjin Lee and Je Myoung Park and Jeongsu Jang and Sangho Yoon and Arnab Ghosh and Minseol Kim and Joonho Kim and Woongki Na and Jonghwan Kim and Hyoung Joon Choi and Hyeonsik Cheong and Kwanpyo Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.04938},
year = {2021}
}
备注
24 pages, 5 figures