(CaO)(FeSe)：一种层状宽带隙氧硫族化物半导体
材料科学
2016-06-28 v1 超导电性
摘要
获得了一种新的铁氧硫族化物 (CaO)(FeSe)，其结晶于正交空间群 Pnma（第 62 号），晶胞参数为 a = 5.9180(12) {\AA}, b = 3.8802(8) {\AA}, c = 13.193(3) {\AA}。(CaO)(FeSe) 的独特结构由在 ab-平面内延伸的、由角共享 FeSe2O2 四面体构成的波纹状无限层的准二维网络构建而成。由角共享 FeSe2O2 四面体组成的波纹状层沿 c-轴堆叠，Ca2+ 阳离子夹在层间。光谱学和电阻率测量揭示了半导体行为，其间接光学带隙约为 1.8 eV，激活能为 0.19(1) eV。密度泛函水平的电子能带结构计算预测了磁性构型作为基态，并证实了 (CaO)(FeSe) 中存在间接宽带隙。
引用
@article{arxiv.1606.08000,
title = {(CaO)(FeSe): A Layered Wide Gap Oxychalcogenide Semiconductor},
author = {Fei Han and Di Wang and Christos D. Malliakas and Mihai Sturza and Duck Young Chung and Xiangang Wan and Mercouri G. Kanatzidis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08000},
year = {2016}
}