Bi 注入非晶硫族化合物薄膜的电学性质
材料科学
2014-12-10 v2
摘要
研究了 Bi 注入对非晶硫族化合物薄膜电导率和热电势的影响。在 Ge-Sb-Te 和 GeTe 中掺入 Bi 可提高电导率。负的 Seebeck 系数证实了在剂量为 2x1016 cm-2 的 Bi 注入 GeTe 中电子电导的开始。增强的电导率伴随着注入过程中薄膜内的缺陷积累，这是通过分析空间电荷限制电流推断出来的。结果表明，孤对半导体中的原生配位缺陷可以通过离子注入去活化，而薄膜较高的电导率源于 Bi 注入产生的额外电活性缺陷。
引用
@article{arxiv.1410.5677,
title = {Electrical properties of Bi-implanted amorphous chalcogenide films},
author = {Yanina G. Fedorenko and Mark A. Hughes and Julien L. Colaux and C. Jeynes and Russell M. Gwilliam and Kevin Homewood and B. Gholipour and J. Yao and Daniel W. Hewak and Tae-Hoon Lee and Stephen R. Elliott and Richard J. Curry},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5677},
year = {2014}
}
备注
This is an extended version of the results presented in Proc. SPIE 8982, 898213 (2014)