离子束对 Ge-Se 硫系玻璃薄膜的影响：非易失性存储器阵列形成、结构变化与器件性能
材料科学
2015-02-06 v1
摘要
导电桥非易失性存储器技术是一种新兴的、用于在未来神经网络和可配置逻辑应用中替代传统基于电荷的存储器件的方案。为实现此类架构，必须开发能完成逻辑操作的存储器阵列。我们提出并推进了一种利用掩模离子轰击制造这些阵列的方案。基于 Ar+ 离子与 GexSe1-x（x=0.2、0.3 和 0.4）硫系玻璃相互作用形成的通孔和损伤累积，研究了存储器器件的性能随离子能量和剂量的依赖关系。制备了整片薄膜和器件以研究结构变化、表面粗糙度和器件性能。拉曼光谱、原子力显微镜（AFM）、能量色散 X 射线光谱（EDS）和电学测量阐明了 Ar+ 离子在 GexSe1-x 体系薄膜上的行为。拉曼研究表明，边共享与角共享结构单元的面积比下降，揭示了离子/薄膜相互作用导致体系内发生结构重组。AFM 结果显示，离子轰击后，随着 Ge 浓度增加，表面粗糙度有改善趋势。EDS 结果显示通孔内发生成分变化，且离子与 Ge 原子间相互作用更强的趋势明显，富 Ge 薄膜中更大的成分变化证明了这一点。
引用
@article{arxiv.1502.01577,
title = {Ion beam effect on Ge-Se chalcogenide glass films: Non-volatile memory array formation, structural changes and device performance},
author = {M. R. Latif and T. L. Nichol and M. Mitkova and D. A. Tenne and I. Csarnovics and S. Kokenyesi and A. Csik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01577},
year = {2015}
}