InTe 相变材料中密度依赖的局部结构
材料科学
2024-06-12 v1
摘要
基于硫族化物相变材料 的相变随机存取存储器 (PCRAM) 是发展非易失性存储器和类神经计算技术的主要候选者之一。最近的工作表明，铟是 PCRAM 的重要合金元素，然而对其母体化合物 InTe，特别是其非晶相的透彻理解仍然缺乏。在本工作中，我们对 InTe 的非晶态和各种晶态多形体进行了第一性原理模拟和化学键分析。我们揭示了在非晶结构中局部几何高度依赖于密度：在环境条件下形成以 In 为中心的四面体基元，而在压力下形成有缺陷的八面体基元，这源于其晶态多形体的成键特性。此外，我们的第一性原理分子动力学模拟预测了 InTe 在压力下具有快速结晶能力。最后，我们提出了更好地利用铟的建议，并提出了一种“主动”器件设计，以在相变应用中同时利用热效应和机械效应。
引用
@article{arxiv.2109.14253,
title = {Density dependent local structures in InTe phase-change materials},
author = {Suyang Sun and Bo Zhang and Xudong Wang and Wei Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.14253},
year = {2024}
}