二维铁磁半导体 Cr2Ge2Te6 的压力诱导结构相变与特殊非晶化相
强关联电子
2019-06-03 v1 应用物理
摘要
层状过渡金属三硫族化物已成为二维磁体及用于相变存储器件的候选材料的研究前沿之一。本文报道利用金刚石对顶砧技术对 Cr2Ge2Te6（CGT）单晶进行的高压同步辐射 X 射线衍射与电阻测量，揭示了在 18.3–29.2 GPa 同时发生的晶态到晶态与晶态到非晶态转变的混合。多晶型转变可由原子层重构解释，而非晶化可与随机翻转到范德瓦尔斯间隙的原子相联系。该非晶（AM）相可淬火至常压条件。CGT 的电阻在约 18 GPa 处呈现回弹点，与多晶型相变一致。有趣的是，高压非晶相表现出金属性电阻，其量级与高压晶相相当，而常压下非晶相的电阻未能超过晶相，表明高压下出现的 CGT 非晶相十分独特，类似行为在其他相变材料中从未观察到。该结果无疑将对新型功能材料的设计具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1905.13603,
title = {Pressure-Induced Structural Phase Transition and a Special Amorphization Phase of Two-Dimensional Ferromagnetic Semiconductor Cr2Ge2Te6},
author = {Zhenhai Yu and Wei Xia and Kailang Xu and Ming Xu and Hongyuan Wang and Xia Wang and Na Yu and Zhiqiang Zou and Jinggeng Zhao and Lin Wang and Xiangshui Miao and Yanfeng Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.13603},
year = {2019}
}
备注
14 pages,7 figures, 2 tables, 1 supporting information. JPCC in press