电子束辐照下 GeSbTe 相变材料的渐进非晶化
材料科学
2019-08-28 v2
摘要
硫系相变材料（PCMs），特别是 Ge-Sb-Te 化合物中的快速可逆相变不仅具有基础科学意义，也使基于 PCMs 的随机存取存储器（PRAM）成为非易失性存储器和神经形态计算器件的有力候选。为了 RESET 存储单元，晶态 Ge-Sb-Te 必须首先经历向液态的相变，然后变为非晶态，对应于电阻的突变。本工作中，我们展示了在透射电子显微镜（TEM）电子束辐照下 GeSb2Te4 薄膜中的渐进非晶化过程。原位 TEM 实验表明完全不存在熔化。该渐进非晶化过程与伴随电阻连续变化的累积结晶过程极为相似。我们的工作表明，若能恰当引入位移力，应可利用 PCMs 模拟对称的神经元动力学。
引用
@article{arxiv.1904.10601,
title = {Progressive amorphization of GeSbTe phase-change material under electron beam irradiation},
author = {Ting-Ting Jiang and Jiang-Jing Wang and Lu Lu and Chuan-Sheng Ma and Dan-Li Zhang and Feng Rao and Chun-Lin Jia and Wei Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.10601},
year = {2019}
}