基于硫族化合物玻璃的闪存材料的原子级模拟
材料科学
2011-04-01 v1 无序系统与神经网络
摘要
在本章中，我们利用从头算分子动力学，介绍了闪存器件的两种材料：Ge2Sb2Te5 和 Ge-Se-Cu-Ag 的最新模拟结果。本章是对我们先前工作的回顾，包含了我们已在 Cai et al. (2010) 和 Prasai & Drabold (2011) 中发表的部分图表和文本，同时也包含了若干新结果。
引用
@article{arxiv.1103.6051,
title = {Atomistic Simulations of Flash Memory Materials Based on Chalcogenide Glasses},
author = {Bin Cai and Binay Prasai and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.6051},
year = {2011}
}
备注
24 pages, 20 figures. This is a chapter submitted for the book under the working title "Flash Memory" (to be published by Intech ISBN 978-953-307-272-2)