GeSe$_3$:Ag 与 Al$_2$O$_3$:Cu 中的电子传导机制
无序系统与神经网络
2019-01-15 v1 材料科学
摘要
本文中,我们讨论两种导电桥计算机存储材料——Cu 掺杂氧化铝与 Ag 掺杂 GeSe——的原子结构。我们表明,Ag 在硫系玻璃中分布相当均匀,而 Cu 在氧化铝材料中强烈团聚。铜-氧化物体系一旦浓度高到足以形成连通的 Cu 通道,便通过 Cu 原子的扩展态传导进行导电。此外,Cu 的添加导致在整个大氧化铝(宿主)光学带隙中出现扩展态。相比之下,即便施加非常窄的纳米线几何结构,硒化物宿主中的 Ag 也不具有强导电性。所有这些结果均使用计算网络传导活跃部分的新技术进行讨论。
引用
@article{arxiv.1901.04324,
title = {Electronic conduction mechanisms in GeSe$_3$:Ag and Al$_2$O$_3$:Cu},
author = {K. N. Subedi and Kiran Prasai and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.04324},
year = {2019}
}