GeSe$_3$:Ag 玻璃中的非晶-非晶绝缘体-金属转变
材料科学
2018-01-26 v1
摘要
我们研究了三元硫族化物玻璃 (GeSe)Ag 在 =0.15 和 0.25 时的绝缘体-金属转变。该玻璃的导电相是通过使用“Gap Sculpting” (Prasai et al, Sci. Rep. 5:15522 (2015)) 获得的，并且观察到金属相和绝缘体相具有几乎相同的 DFT 能量，但电导率对比度约为 10。从绝缘体到金属的转变涉及富 Ag 相的生长，并伴随着主体网络中四面体键合 Ge(Se) 的耗尽。结果表明，非晶 AgSe 相和 GeSe 相的相对分数是直流电导率的关键决定因素。
引用
@article{arxiv.1703.02838,
title = {Amorphous to Amorphous Insulator-Metal transition in GeSe$_3$:Ag glasses},
author = {Kiran Prasai and Gang Chen and David Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02838},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 7 figures