Te 过掺杂 Si 中绝缘体-金属相变的临界行为
材料科学
2020-09-16 v3
摘要
硫族元素过掺杂 Si 因其产生的材料表现出强烈的亚带隙吸收而备受关注，可利用与 Si 完全兼容的技术来开发宽带室温红外光电探测器。本文报道了通过离子注入结合纳秒脉冲激光熔融制备的 Te 过掺杂 Si 层中，由杂质驱动的绝缘体-金属相变的临界行为。电学输运测量揭示了绝缘体-金属相变，密度泛函理论计算也证实并解释了该相变。我们证明，在温度低于 25 K 时，金属相的电导率受幂律支配；而在 2-50 K 温度范围内，绝缘相的电导率可由带有库仑隙的变程跳跃机制很好地描述。这些结果表明，在相变附近，电子波函数受到无序和电子-电子相互作用的强烈影响。
引用
@article{arxiv.2004.02710,
title = {Critical behavior of the insulator-to-metal transition in Te-hyperdoped Si},
author = {Mao Wang and A. Debernardi and Wenxu Zhang and Chi Xu and Ye Yuan and Yufang Xie and Y. Berencén and S. Prucnal and M. Helm and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.02710},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 6 figures