通过非平衡材料加工实现 Se 超掺杂 Si 的绝缘体-金属转变
材料科学
2017-10-11 v1
摘要
我们报道了通过非平衡材料加工（即离子注入随后进行毫秒闪光灯退火）调控 Se 浓度，从而在 Se 超掺杂 Si 层中驱动的绝缘体-金属转变。电学输运测量表明，载流子浓度和电导率随 Se 浓度的增加而增加。对于 Se 浓度低于 Mott 极限的半绝缘样品，对电导率温度依赖性的定量分析表明，其遵循指数为 而非 的变程跳跃机制，这意味着在费米能级处存在库仑能隙。观测到的绝缘体-金属转变归因于 Se 超掺杂 Si 层中中间带的形成。
引用
@article{arxiv.1707.09207,
title = {Realizing the insulator-to-metal transition in Se-hyperdoped Si via non-equilibrium material processing},
author = {F. Liu and S. Prucnal and Y. Berencén and Z. Zhang and Y. Yuan and Y. Liu and R. Heller and R. Boettger and L. Rebohle and W. Skorupa and M. Helm and S. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09207},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 4 figures, accepted by J. Phys. D: Appl. Phys