填充方钴矿 CeOs$_4$Sb$_{12}$ 中的反常金属-绝缘体相变
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
通过构建包含 f 电子间库仑排斥的有效紧束缚模型，研究了在填充方钴矿 CeOsSb 中观察到的反常金属-绝缘体相变。利用平均场近似，计算了磁化率并获得了相图。当能带结构具有在 和 H 点带有小电子和空穴口袋的半金属特性时，由于费米面的嵌套特性，发生了具有有序矢量 的自旋密度波相变。磁场增强了该相，这与实验结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601062,
title = {Anomalous Metal-Insulator Transition in Filled Skutterudite CeOs$_4$Sb$_{12}$},
author = {Yoshiki Imai and Keitaro Sakurazawa and Tetsuro Saso},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601062},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures