由随机磁通驱动的金属到高阶拓扑绝缘体的转变
介观与纳米尺度物理
2022-08-31 v3
摘要
人们通常认为随机磁通无法在非相互作用系统中驱动完整的金属-绝缘体转变。本文中我们表明，随机磁通终究能在二维Su-Schrieffer-Heeger模型中诱导出完整的金属-能带绝缘体转变。值得注意的是，我们发现所产生的绝缘体在适当区间内可成为具有零能角模的外禀高阶拓扑绝缘体，而非传统的Anderson绝缘体。利用能级统计与有限尺寸标度分析，我们刻画了该金属-能带绝缘体转变，并数值提取其临界指数ν=2.48±0.08。为揭示该转变背后的物理机制，我们基于随机磁通平均Green函数给出了一个有效能带结构图像。
引用
@article{arxiv.2108.08630,
title = {Transition from metal to higher-order topological insulator driven by random flux},
author = {Chang-An Li and Song-Bo Zhang and Jan Carl Budich and Björn Trauzettel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.08630},
year = {2022}
}
备注
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