掺杂的“近藤”绝缘体与掺杂硅有何不同？
强关联电子
2008-02-03 v2
摘要
我们通过用Al在Si位点进行化学取代，观察到了强关联绝缘体FeSi中的金属-绝缘体转变。我们测量了Al浓度从0到0.08范围内的磁化率、热容和场依赖电导率。对于浓度大于0.01的样品，我们发现其金属性质与Si:P中测得的性质定量相似，但准粒子质量显著增强。在2 K以下，温度依赖和场依赖的电导率可以完全由无序费米液体理论描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9701005,
title = {Is a doped 'Kondo' insulator different from doped Silicon?},
author = {J. F. DiTusa and K. Friemelt and E. Bucher and G. Aeppli and A. P. Ramirez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9701005},
year = {2008}
}
备注
12 Pages Latex with 3 ps figures