德国化硒多晶体之间高电阻对比的晶体结构相变
材料科学
2025-08-26 v1 应用物理
摘要
理解材料晶体相之间相变对于基本研究以及潜在应用（如相变存储器）至关重要。本研究探讨了德国化硒（GeSe）晶体多晶体之间的相变，由全球中等温度退火或局部激光诱导加热引起。高度导电的伽马相GeSe转化为半导性、单晶α相GeSe，同时保持良好的晶体取向。通过透射电子显微镜分析研究了γ-GeSe/α-GeSe界面处的结构和电子性质。我们提出，在γ-GeSe相中Ge空位的聚集是驱动相变的关键机制，导致α-GeSe通过形成微量GeSe₂相的分离而形成。此外，我们观察到γ-GeSe和α-GeSe之间约10^7的高电阻对，凸显了GeSe作为电子应用（包括相变存储器）的模型多晶体系统的潜力。
引用
@article{arxiv.2508.17997,
title = {Crystalline-to-Crystalline Phase Transition between Germanium Selenide Polymorphs with High Resistance Contrast},
author = {Joonho Kim and Kihyun Lee and Joong-Eon Jung and Han Joo Lee and Seongil Im and Kwanpyo Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.17997},
year = {2025}
}
备注
25 pages, 4 figures