用于集成光子存储的层状铋硒化物间的结构相变
光学
2025-02-14 v1
摘要
光学 memristive 器件的主要机制依赖于无定晶-结晶相变。无定晶-结晶相变在光学相变材料中往往缓慢或能耗高，制约了器件的可扩展性和性能。我们演示了在集成光子平台上，利用单纳秒脉冲触发 In2Se3 两种层状结构之间的非易失可逆开关。高分辨率偶联分布函数揭示了两种层状结构之间的原子尺度过渡路径。通过层间剪切滑移和等温相变，alpha 与 beta 结构状态之间的开关包含低的重构熵，允许层状结构之间的可逆开关。实验表明，分子束外延生长的薄膜表征了宽带折射率对比、光学透明度以及结晶-结晶相变中的体积效应。非线性谐挡器传输光谱测量得出，1.5 微米长的 In2Se3 覆盖层引入 3.3 GHz 的线性损耗率，源于材料吸收和散射的组合。
引用
@article{arxiv.2502.09474,
title = {Structural phase transitions between layered Indium Selenide for inte-grated photonic memory},
author = {Tiantian Li and Yong Wang and Wei Li and Dun Mao and Chris J. Benmore and Igor Evangelista and Huadan Xing and Qiu Li and Feifan Wang and Ganesh Sivaraman and Anderson Janotti and Stephanie Law and Tingyi Gu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.09474},
year = {2025}
}