分子束外生长的氧化铟硒晶体相异构结构中的量子尺寸效应
介观与纳米尺度物理
2025-09-09 v1
摘要
氧化铟硒因其卓越的电子和光学特性而引人关注，这些特性在电子和光子器件的应用前景广阔。这种半导体的大多数多态晶体相属于二维黄金-范德瓦尔斯半导体系列。本研究通过分子束外生长制造了光学活性的氧化铟硒晶体相异构结构。通过改变生长条件，可获得 {\gamma}-InSe、{\gamma}-In2Se3 或 {\b{eta}}-yIn2Se3 晶体相。就光子应用而言，最有前景的晶体相异构结构是 {\gamma}-InSe/{\gamma}-In2Se3 异构结构。该异构结构在近红外光谱范围内产生强烈的光学发射。通过改变 {\gamma}-InSe 层厚度，可在250 meV 范围内调节发射能量，这由量子尺寸效应解释。因此，光学活性的氧化铟硒晶体相异构结构代表了一种有趣的平台，用于设计近红外光源和探测器。分子束外生长的优势在于确保在大面积上制造这些结构，为利用光刻方法设计器件原型提供了可能。
引用
@article{arxiv.2509.06605,
title = {Quantum Size Effect in Optically Active Indium Selenide Crystal Phase Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy},
author = {Piotr Wojnar and Maciej Wojcik and Piotr Baranowski and Jacek Kossut and Marta Aleszkiewicz and Jaroslaw Z. Domagala and Roza Dziewiatkowska and Pawel Ciepielewski and Maksymilian Kuna and Zuzanna Kostera and Slawomir Kret and Sergij Chusnutdinow},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.06605},
year = {2025}
}
备注
4 Figures; 17 pages, submitted version