晶圆级二维纯相InSe的生长
材料科学
2023-03-07 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
二维(2D)硒化铟(InSe)作为一种III-VI族二维半导体(2D),兼具III-V族半导体与范德瓦耳斯二维过渡金属硫族化合物的优良特性,已引起广泛关注。然而,由于In-Se二元体系的复杂性以及促进横向生长的困难,大面积合成纯相二维InSe仍未能实现。在此,我们报道了首次通过金属有机化学沉积(MOCVD)在2英寸直径蓝宝石晶圆上实现外延二维InSe的多晶型选择性合成。我们通过动态脉冲控制Se/In通量比,在c面蓝宝石上实现了InSe的层数可控、逐层外延生长。该逐层生长方式可在晶圆尺度上实现厚度控制,其可调光学性质与块体晶体相当。最后,栅极可调的电学输运表明,MOCVD生长的InSe有望作为逻辑晶体管后端集成中的沟道材料,其场效应迁移率与单晶薄片相当。
引用
@article{arxiv.2303.02530,
title = {Wafer-scale growth of two-dimensional, phase-pure InSe},
author = {Seunguk Song and Sungho Jeon and Mahfujur Rahaman and Jason Lynch and Pawan Kumar and Srikrishna Chakravarthi and Gwangwoo Kim and Xingyu Du and Eric Blanton and Kim Kisslinger and Michael Snure and Nicholas R. Glavin and Eric A. Stach and Roy H. Olsson and Deep Jariwala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.02530},
year = {2023}
}
备注
MS + SI