揭示 GaSe 生长模式图谱
材料科学
2026-01-12 v1
摘要
二维晶体材料在工业相关基片上的生长对于实现其可扩展的合成并集成到下一代技术中至关重要。本文present了对 GaSe 在 2 英寸 c 面砖片基片上分子束外生长的全面研究。通过原位反射高能电子衍射 (RHEED)、原位拉曼光谱、光学显微镜和扫描电子显微镜，我们构建了 gallium selenide 生长模式图作为基片温度 (530-650 ) 和 Se/Ga flux 比例 (5-110) 的函数。生长模式图揭示了 distinct 的区域，包括在砖片上具有部分晶体取向的层状后转换金属单卤化物 GaSe，其面内晶格常数为 nm且未受应力。该工作表明基于 RHEED 的路线可以合成具有特定相和形貌的砒石化物，以及构建高蒸气压 III-VI 化合物的相图，这些化合物可应用于广泛的其他金属硫化物材料。
引用
@article{arxiv.2510.10743,
title = {Unveiling the growth mode diagram of GaSe on sapphire},
author = {M. Bissolo and M. Dembecki and J. Belz and J. Schabesberger and M. Bergmann and P. Avdienko and F. Rauscher and A. S. Ulhe and H. Riedl and K. Volz and J. J. Finley and E. Zallo and G. Koblmüller},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.10743},
year = {2026}
}