晶圆级二维β-In2Se3光电探测器的制备
材料科学
2020-12-01 v2 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
利用分子束外延（MBE）在2英寸c面蓝宝石晶圆上实现了二维（2D）材料的外延生长。通过X射线衍射（XRD）、拉曼光谱和像差校正扫描透射电子显微镜（ac-STEM）确认了厚（90 nm）及极薄膜（低至两个五层结构（2 nm））的优异质量。采用光刻及其他标准半导体工艺，制备了基于五个五层结构的晶圆级光电探测器。该光电探测器在550 nm处表现出3 mA/W的响应度、峰值比探测率（D*）为 Jones、外量子效率（EQE）为0.67%，响应时间约7 ms，快于此前报道的任何光电探测器结果。由光电流测量观察到1.38 eV的光学带隙。这些关于二维晶圆级沉积及其光电器件制备的结果，提供了实现二维材料商业化的缺失环节。
引用
@article{arxiv.2005.10819,
title = {Wafer-scale fabrication of two-dimensional beta-In2Se3 photodetectors},
author = {Marcel S. Claro and Justyna Grzonka and Nicoleta Nicoara and Paulo J. Ferreira and Sascha Sadewasser},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.10819},
year = {2020}
}