Ge2Sb2Te5薄膜在原位加热过程中的化学偏析
材料科学
2020-01-23 v1
摘要
锗锑碲因适宜的结晶温度、非晶至晶态电阻反差及非晶相稳定性，成为电子存储器中最常用和研究的相变材料。本工作中，观察并表征了30 nm厚Ge2Sb2Te5薄膜在透射电子显微镜内加热过程中的Ge偏析。该Ge2Sb2Te5薄膜经溅射沉积于Protochips Fusion载台上，并在大气中未加覆盖放置约四个月。渗入薄膜的氧在观测到的化学偏析中起显著作用，导致非晶Ge-O晶界及富Sb与Te的结晶域。此类成分变化可发生于相变材料在集成器件中与绝缘氧化物层界面处，并将显著影响其电学与热学性质。
引用
@article{arxiv.2001.08100,
title = {Chemical segregation in Ge2Sb2Te5 thin films during in-situ heating},
author = {Shalini Tripathi and Paul Kotula and Manish Singh and Chanchal Ghosh and Gokhan Bakan and Helena Silva and Barry Carter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.08100},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 6 figures