用于 Nb 基超导技术的含钽扩散势垒 Ge 薄膜
超导电性
2021-04-27 v1 材料科学
量子物理
摘要
锗薄膜是超导微波谐振器中低损耗电介质、低损耗层间金属布线电介质以及微波和 Josephson 结器件中钝化层的极佳候选材料。在 400 {\deg}C 沉积的 Ge/Nb 结构中，我们观察到多达 20 nm 的互混。添加 10 nm Ta 扩散势垒层将超导体/电介质互混减少至小于 5 nm，并基于拉曼光谱改善了所沉积 a-Ge 层的结构特性。此外，在带 Ta 势垒层的晶体 Ge 衬底上于室温制备的超导微波谐振器，在总损耗和功率相关的两能级系统微波损耗方面均显示出显著改善。
引用
@article{arxiv.2104.12580,
title = {Ge thin-films with tantalum diffusion-barriers for use in Nb-based superconductor technology},
author = {C. Kopas and S. Zhang and J. Gonzales and D. R. Queen and B. Wagner and R. W. Carpenter and N. Newman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.12580},
year = {2021}
}