在 300–1600 nm 波长下吸收率 >99% 的纳米结构锗
材料科学
2020-11-03 v3 应用物理
仪器与探测器
光学
摘要
近红外（NIR）传感器在光通信和医疗诊断等多个工业领域有众多应用。然而，最先进的锗（Ge）基 NIR 传感器响应相当差，主要由于受照器件表面的高反射。我们在此展示一种通过对晶圆表面制备纳米结构来提高 Ge 传感器灵敏度的方法。测得纳米结构 Ge 晶圆在整个 UV-VIS-NIR 光谱直至 1600 nm 波长范围内的吸收率 >99%，相较裸 Ge 晶圆最高仅达 63% 吸收率有显著提升。该工艺被证明能够制备覆盖完整 100-mm 直径衬底的均匀纳米结构，以及具有不同尺寸和形状刻蚀掩模开口的晶圆，这表明其适用于 CMOS 传感器制造。结果意味着纳米结构 Ge 有潜力彻底改变基于 Ge 的传感器的灵敏度。
引用
@article{arxiv.2001.02532,
title = {Nanostructured germanium with >99 % absorption at 300-1600 nm wavelengths},
author = {Toni P. Pasanen and Joonas Isometsä and Moises Garin and Kexun Chen and Ville Vähänissi and Hele Savin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.02532},
year = {2020}
}
备注
Article published in Advanced Optical Materials. Complete citation details and link to the article published in the journal were added