Ge 富集 Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ 合金中相变存储器操作的多物理场建模
材料科学
2024-09-11 v1
摘要
相变存储器 (PCM) 最广泛使用的活性材料是三元化学计量 compound GeSbTe (GST)，其晶体化温度约为150℃。实现更高工作温度的一个方案是富集 GST 材料中的额外德氏元素 (GGST)。该合金晶体化为两种相（GST 和接近纯德氏元素）的多晶体混合物。在先前的工作[ R. Bayle 等人，J. Appl. Phys. 128, 185101 (2020)]中，使用简化由独立求解器计算的热场来研究了该晶体化过程。本文将 MPFM 与相感知电热求解器结合，以实现针对 PCM 器件操作的一致性多物理场模型。对存储器操作进行仿真，以演示其能够复现实验观察以及用于评估 PCM 单元性能的最重要校准曲线的能力。
引用
@article{arxiv.2409.06463,
title = {Multi-Physics Modeling Of Phase Change Memory Operations in Ge-rich Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ Alloys},
author = {Robin Miquel and Thomas Cabout and Olga Cueto and Benoît Sklénard and Mathis Plapp},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.06463},
year = {2024}
}
备注
20 pages, 27 figures, submitted to Journal of Applied Physics