相变存储器件中纳米尺度焦耳效应与佩尔捷效应的直接观测
介观与纳米尺度物理
2013-05-23 v1 材料科学
摘要
我们利用扫描焦耳膨胀显微镜 (SJEM) 测量了相变存储 (PCM) 器件中的功率耗散，其空间分辨率约为 50 nm，温度分辨率为 0.2 K。Ge2Sb2Te5 (GST) 中的温升主要由焦耳热主导，但在 GST-TiW 接触处则是佩尔捷效应与电流拥挤效应的组合。通过将 SJEM 和电学表征与 PCM 器件的模拟进行对比，我们揭示了面心立方结晶 GST 25 nm 厚薄膜的热功率约为 350 uV/K，接触电阻约为 2.0 x 10^-8 Ohm-m2。了解此类纳米尺度的焦耳、佩尔捷及电流拥挤效应，对于未来 PCM 技术的能效设计至关重要。
引用
@article{arxiv.1305.4946,
title = {Direct observation of nanometer-scale Joule and Peltier effects in phase change memory devices},
author = {Kyle L. Grosse and Feng Xiong and Sungduk Hong and William P. King and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4946},
year = {2013}
}
备注
includes supplement