利用单层 MoS2 工程化相变存储器的热与电界面特性
应用物理
2019-03-27 v1 材料科学
摘要
相变存储器（PCM）是一种新兴的数据存储技术，然而其编程本质上是热性的且通常能效不高。在此，我们通过丝状接触与热限制相结合的方法来降低 PCM 的开关功耗。丝状接触由底电极上氧化的 TiN 层形成，而热限制通过单层半导体界面、三个原子厚的 MoS2 实现。前者减小了相变材料的开关体积，并使复位电流相较典型的 150 nm 直径蘑菇型单元降低 70%。利用超薄（约 6 {\AA}）MoS2 所增强的热限制带来了开关电流与功耗额外 30% 的降低。我们还通过详细仿真表明，将此类 PCM 单元的电与热界面进一步调至其物理极限，可带来高达六倍的能效收益。
引用
@article{arxiv.1903.00602,
title = {Engineering Thermal and Electrical Interface Properties of Phase Change Memory with Monolayer MoS2},
author = {Christopher M. Neumann and Kye L. Okabe and Eilam Yalon and Ryan W. Grady and H. -S. Philip Wong and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.00602},
year = {2019}
}