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纳米线相变存储器的标度分析

介观与纳米尺度物理 2013-02-11 v1 计算物理

摘要

本文利用解析和数值方法分析了纳米线 (NW) 相变存储器 (PCM) 的标度特性。研究并比较了三种广泛使用的 NW PCM 操作方案(恒定电场、恒定电压和恒定电流)的标度情景。结果表明,如果器件尺寸缩小为原来的 1/k (k>1),操作能量(电流)将减少超过 k^3 (k) 倍,而操作速度将提高 k^2 倍。结果还显示,超过 90% 的操作能量作为热通量浪费到了衬底和电极中。我们预测,如果通过热限制技术有效减少浪费的热通量,每次 RESET 操作消耗的能量可以从约 1 pJ 降低到 100 fJ 以下。结果表明,减小 NW 长径比 (AR) 有助于降低 PCM 能耗。研究揭示,跨单元热邻近干扰反直觉地因标度而得到缓解,从而产生了一种理想的标度情景。

关键词

引用

@article{arxiv.1302.1940,
  title  = {Scaling Analysis of Nanowire Phase Change Memory},
  author = {Jie Liu and Bin Yu and M. P. Anantram},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1940},
  year   = {2013}
}