单电子单点存储器的工艺优化与尺寸缩小
材料科学
2011-06-22 v1 新兴技术
摘要
本文介绍了单电子纳米闪存电子存储器的工艺优化。利用硅纳米线的湿法各向异性氧化，制备了自对准单点存储结构。主要问题之一是明确点形成的工艺条件。基于工艺建模，研究了各种参数（氧化温度、纳米线形状）的影响。确定了必须在这些不同参数之间进行严格折衷以确保存储点存在。为了提出一种激进的存储单元，对该器件的尺寸缩小进行了仔细研究。缩放规则表明，原始器件的尺寸可以缩小 2 倍。这一点先前已通过单电子存储器件的实现得到证实。
引用
@article{arxiv.1106.4289,
title = {Process Optimization and Downscaling of a Single Electron Single Dot Memory},
author = {Christophe Krzeminski and Xiaohui Tang and Nicolas Reckinger and Vincent Bayot and Emmanuel Dubois},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4289},
year = {2011}
}