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自对准单点存储器件制备及其室温单电荷行为

材料科学 2011-09-15 v1 量子物理

作者: Xiaohui Tang , Nicolas Reckinger , Vincent Bayot , Christophe Krzeminski , Emmanuel Dubois , Alexandre Villaret , Daniel Bensahel

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摘要

基于砷辅助刻蚀和氧化效应，制备了自对准单点存储器件及其阵列。所得到的器件具有约 5-10 nm 的浮栅，在室温下呈现单电子存储操作。为了实现最终的单电子存储电路，本文研究了工艺可重复性、单点存储阵列中的器件均匀性、器件可扩展性以及工艺向工业应用的转移性。

关键词

单电子存储器自对准制备量子点浮栅室温操作器件均匀性工艺转移性

引用

@article{arxiv.1109.2921,
  title  = {Fabrication and Room-Temperature Single-Charging Behavior of Self-Aligned Single-Dot Memory Devices},
  author = {Xiaohui Tang and Nicolas Reckinger and Vincent Bayot and Christophe Krzeminski and Emmanuel Dubois and Alexandre Villaret and Daniel Bensahel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.2921},
  year   = {2011}
}