用于改善全自对准双浮栅单电子存储器电荷保持特性的能带工程
材料科学
2011-11-17 v1 量子物理
摘要
我们提出了一种新型全自对准单电子存储器，其具有由不同材料（Si 和 Ge）制成的单对纳米浮栅。阻止存储电荷泄漏的能量势垒不仅由量子效应引起，还由 Ge 和 Si 之间产生的导带偏移引起。每个浮栅的尺寸和位置均得到明确的定义与控制。该器件在室温下表现出长保持时间和单电子注入特性。
引用
@article{arxiv.1111.3683,
title = {Energy-band engineering for improved charge retention in fully self-aligned double floating-gate single-electron memories},
author = {Xiaohui Tang and Christophe Krzeminski and Aurélien Lecavelier des Etangs-Levallois and Zhenkun Chen and Emmanuel Dubois and Erich Kasper and Alim Karmous and Nicolas Reckinger and Denis Flandre and Laurent A. Francis and Jean-Pierre Colinge and Jean-Pierre Raskin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3683},
year = {2011}
}