基于全带蒙特卡洛模拟的双栅SONOS中热电子注入研究
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
本文通过二维全带蒙特卡洛模拟玻尔兹曼输运方程，研究了双栅SONOS存储器中的热电子注入。电子在沟道中被小于3 V的漏源电压VDS加速，从而通过隧穿势垒实现编程，该势垒高度因积累的动能而有效降低。我们研究了不同偏置条件和沿沟道不同位置处半导体/氧化物界面的粒子能量分布。栅极电流采用基于连续介质的后处理方法，根据蒙特卡洛获得的粒子分布进行计算。模拟结果表明，栅极电流随漏极偏压的增加而增加数个数量级，当短沟道效应限制施加更大漏极偏压时，热电子注入可成为一种有吸引力的编程选项。
引用
@article{arxiv.0810.5051,
title = {Study of Warm Electron Injection in Double Gate SONOS by Full Band Monte Carlo Simulation},
author = {G. Giusi and G. Iannaccone and M. Mohamed and U. Ravaioli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.5051},
year = {2009}
}