基于全带声子蒙特卡洛模拟的若干Si/Ge界面声子输运研究
应用物理
2022-05-06 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们开发了一个全带蒙特卡洛模拟器，以考虑垂直于热流的界面处的声子透射。该玻尔兹曼输运方程求解器无需对声子分布形状作任何假设，可自然涵盖从扩散到完全弹道的所有声子输运 regime。因此，该模拟器被用于研究从微米尺度到纳米尺度的单层和双层Si/Ge异质结构，即涵盖从弹道到完全扩散的所有声子输运 regime。提出了一种估算热导率和热界面的方法。
引用
@article{arxiv.2102.10833,
title = {Study of phonon transport across several Si/Ge interfaces using full-band phonon Monte Carlo simulation},
author = {N. D. Le and B. Davier and N. Izitounene and P. Dollfus and J. Saint-Martin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.10833},
year = {2022}
}