双浮栅存储器保持特性的数值方法
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 强关联电子
摘要
我们报告了一项数值研究，其中比较了双浮栅（DFG）结构与传统单浮栅结构的存储特性，包括两个单元之间的干扰效应。我们发现DFG结构的优势在于其更长的保持时间，而劣势在于其较小的阈值电压漂移。我们还提供了包含干扰效应的充电能量的解析形式。
引用
@article{arxiv.1005.1102,
title = {Numerical approach for retention characteristics of double floating-gate memories},
author = {Tetsufumi Tanamoto and Kouichi Muraoka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1102},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures