DSTT-MRAM：用于片上存储器的差分自旋霍尔 MRAM
介观与纳米尺度物理
2014-02-12 v1
摘要
提出了一种基于自旋转移矩的磁随机存取存储器 (MRAM) 新型器件结构，适用于片上存储器应用。我们的器件结构利用自旋霍尔效应创造了一种差分存储单元，表现出快速且节能的写入操作。此外，由于固有的差分器件结构，可以执行快速且可靠的读取操作。我们的模拟研究表明，与标准的 1T1R STT-MRAM 存储单元相比，写入能量提高了 10 倍，与单边传感 (如标准 1T1R STT-MRAM 中) 相比，读取速度提高了 1.6 倍。该位单元的特性对于高性能片上存储器应用前景广阔。
引用
@article{arxiv.1305.4085,
title = {DSTT-MRAM: Differential Spin Hall MRAM for On-chip Memories},
author = {Yusung Kim and Sri Harsha Choday and Kaushik Roy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4085},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 4 figures