垂直磁随机存取存储器边缘损伤增强的自旋转移矩效率
材料科学
2015-09-02 v1
摘要
我们通过数值方法研究了垂直磁随机存取存储器（MRAM）单元边缘的磁性和电性损伤对自旋转移矩（STT）效率的影响，该效率由热稳定因子与切换电流之比定义。我们发现，边缘受损单元的切换模式与未受损单元不同，这导致切换电流显著降低。结合边缘受损单元热稳定因子的轻微降低，这一特性使得STT效率增大。我们的结果表明，精确的边缘控制对于STT-MRAM的优化是可行的。
引用
@article{arxiv.1507.05276,
title = {Spin-transfer-torque efficiency enhanced by edge-damage of perpendicular magnetic random access memories},
author = {Kyungmi Song and Kyung-Jin Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.05276},
year = {2015}
}