基于微磁学研究采用 Heusler 合金十字形自由层的自旋转移力矩随机存取存储器性能分析
新兴技术
2014-01-28 v1
摘要
我们利用微磁模拟研究了具有基于 Heusler 化合物的十字形自由层的自旋转移力矩随机存取存储器 (STT-RAM) 单元的性能。我们设计了基于钴的 Heusler 化合物自由层。本文的模拟结果预测，从一种状态切换到另一种状态的切换时间有所减少。此外，研究还表明，切换 STT-RAM 单元自由层磁化所需的临界切换电流密度降低了。
引用
@article{arxiv.1401.6971,
title = {Performance Analysis of Spin Transfer Torque Random Access Memory with cross shaped free layer using Heusler Alloys by using micromagnetic studies},
author = {Tangudu Bharat Kumar and Bhaskar Awadhiya and E. MeherAbhinav and Bahniman Ghosh and Bhupesh Bishnoi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6971},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 6 figures