基于 GaAs 2D 双层的记忆电阻器：平衡与非平衡状态
介观与纳米尺度物理
2024-09-19 v1
摘要
在紧密相邻的二维电子气之间发生共挑性隧穿，这是一种单粒子现象，数十年来一直引起广泛关注。当两个量子阱的费米能级对齐时，观察到高隧穿电导。当费米能级脱离共振2D-2D隧穿 regime 时，会出现负微分阻抗。负微分阻抗导致在电流驱动模式下运行时出现滞回现象，使双层系统可功能为一种易失性记忆电阻器。
引用
@article{arxiv.2409.11850,
title = {Memory resistor based in GaAs 2D-bilayers: In and out of equilibrium},
author = {Christian Marty and Zijin Lei and Saverio Silletta and Christian Reichl and Werner Dietsche and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.11850},
year = {2024}
}