GaAs 中 2D 系统的电阻噪声尺度
强关联电子
2009-11-10 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们测量了二维（2D）空穴系统在 GaAs 高迁移率量子阱中的 1/f 电阻噪声，测量位置位于 2D 金-绝缘相变（MIT）两侧，零磁场（B=0）下，且深处于绝缘体 regime。描述了两种测量方法：固定 I 或 V，以及测量电压或电流消散。归一化噪声幅度 SR/R^2 在空穴密度降低时显著增大，其温度（T）依赖性从大密度处略微随 T 增大，转为低密度处显著减小。我们发现噪声幅度随电阻呈比例关系，SR/R^2 ~ R^2.4。这种尺度预期对应于二阶相变或 percolation 相变。我们通过研究导电性随密度的依赖性来探讨是否存在此类相变。该依赖性与临界密度 p* 处于临界行为一致，该密度低于通常 MIT 临界密度 pc。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412084,
title = {Resistance noise scaling in a 2D system in GaAs},
author = {R. Leturcq and G. Deville and D. L'Hote and R. Tourbot and C. J. Mellor and M. Henini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412084},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 8 figures, Proceedings of SPIE: Fluctuations and noise in materials, D. Popovic, M.B. Weissman, Z.A. Racz Eds., Vol. 5469, pp. 101-113, Mspalomas, Spain, 2004