双层双层石墨烯-WSe2 异质结构中的相干层间隧穿与高电流密度负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2017-06-27 v1 材料科学
摘要
我们展示了由双层 WSe2 隔开的两个旋转对齐的双层石墨烯片之间的栅极可调谐共振隧穿和负微分电阻。我们观察到 2 uA/um2 和 2.5 uA/um2 的大层间电流密度，以及在室温和 1.5 K 下分别接近 4 和 6 的峰谷比，这些值与外延生长的共振隧穿异质结构相当。使用 Lorentzian 谱函数对二维 (2D) 准粒子态进行的理论计算与实验数据之间的极好一致性表明，层间电流主要源于能量和面内动量守恒的 2D-2D 隧穿，而非弹性或非动量守恒隧穿的贡献极小。我们展示了在 1.5 K 和 300 K 下分别具有 4 和 6 meV 内在半峰宽的窄隧穿共振。
引用
@article{arxiv.1706.08034,
title = {Coherent Interlayer Tunneling and Negative Differential Resistance with High Current Density in Double Bilayer Graphene-WSe2 Heterostructures},
author = {G. William Burg and Nitin Prasad and Babak Fallahazad and Amithraj Valsaraj and Kyounghwan Kim and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Qingxiao Wang and Moon J. Kim and Leonard F. Register and Emanuel Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.08034},
year = {2017}
}
备注
23 pages, 5 figures