垂直异质结构中隧穿共振的极致锐度
介观与纳米尺度物理
2023-10-12 v1
摘要
由被电介质隔开的两个二维电子系统（2DES）构成的异质结构，在两者能带结构对齐时呈现共振隧穿。通常认为隧穿电流中共振峰的高度与宽度由电子散射及 2DES 晶体结构的旋转失配决定。我们识别出限制共振最大高度与陡度的两个基本因素：与接触端的耦合及能级的隧穿劈裂。隧穿电流的上限为可参与隧穿的电子数乘以 2DES 间隧穿耦合的一半。由于接触诱导的能级展宽与接触电阻之间的权衡，仅当与接触端的耦合等于隧穿能级劈裂时方可达到最大电流。根据我们的模型计算，该极限行为可在双栅极石墨烯/少层六方氮化硼/石墨烯异质结构中观测到。
引用
@article{arxiv.2310.07307,
title = {Ultimate sharpness of the tunneling resonance in vertical heterostructures},
author = {Georgy Alymov and Dmitry Svintsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.07307},
year = {2023}
}