扭转调控 WSe2-hBN-WSe2 异质结构中的自旋守恒共振隧穿
介观与纳米尺度物理
2018-09-11 v1 材料科学
摘要
我们研究了由两层具有可控旋转对齐的二硒化钨（WSe2）单层和其间六方氮化硼隔离层构成的异质结构中的层间隧穿。在两层 WSe2 单层层间旋转对齐的样品中，我们观察到共振隧穿，表现为在零层间偏压附近出现大电导与负微分电阻，这源于能量与动量守恒的隧穿。由于自旋轨道耦合导致自旋-谷自由度的耦合，两层 WSe2 之间的扭转使我们能够探测隧穿过程中自旋-谷自由度的守恒。在两层 WSe2 具有 180{\deg} 相对扭转（即一层的布里渊区与另一层的时间反演布里渊区相对齐）的异质结构中，层间共振隧穿受到抑制。这些发现证明，除动量外，垂直输运中自旋-谷自由度亦守恒。
引用
@article{arxiv.1809.02639,
title = {Spin-Conserving Resonant Tunneling in Twist-Controlled WSe2-hBN-WSe2 Heterostructures},
author = {Kyounghwan Kim and Nitin Prasad and Hema C. P. Movva and G. William Burg and Yimeng Wang and Stefano Larentis and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Leonard F. Register and Emanuel Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.02639},
year = {2018}
}
备注
5 figures, includes supporting information